さて、以前書いた「PINダイオードによる可変アッテネータ」の基板が先週できたので、組み立ててみました。
このアッテネータは固定電圧5Vを基板下部のランド(緑のリード線)に加え、基板上部のランド(赤いリード線)に+15Vから+0Vまで可変電圧を印可することで、減衰量が変わるアッテネータとなります。
性能をチェックするために、3種類の周波数(1GHz、800MHz、250MHz)をシグナルジェネレータから加え、電圧を可変して減衰量を調べてみました。下のグラフがその結果です。
3つのグラフの形状はほとんど同じとなり、特に1GHzと800MHzは重なっていました。
10.5Vあたりから、がくんと減衰量が増え、2V付近で急激に落ち込むようなグラフとなっています。
だいたい11Vから1Vくらいまでを可変範囲にすれば、0dB~-30dBくらいをカバーできるアッテネータとなりそうです。
これをいま作ってるトラジェネの出力調整に使おうと思います。
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